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GOST 26239.8-84

GOST R ISO 15353-2014 ÉTAT GOST P 55080-2012 GOST R ISO 16962-2012 GOST R ISO 10153-2011 GOST R ISO 10280-2010 NORME NATIONALE P ISO 4940-2010 NORME NATIONALE P ISO 4943-2010 GOST R ISO 14284-2009 GOST R ISO 9686-2009 GOST R ISO 13899-2-2009 GOST 18895-97 GOST 12361-2002 GOST 12359-99 GOST 12358-2002 GOST 12351-2003 GOST 12345-2001 GOST 12344-88 GOST 12350-78 GOST 12354-81 GOST 12346-78 GOST 12353-78 GOST 12348-78 GOST 12363-79 GOST 12360-82 GOST 17051-82 GOST 12349-83 GOST 12357-84 GOST 12365-84 GOST 12364-84 NORME D'ÉTAT P 51576-2000 GOST 29117-91 GOST 12347-77 GOST 12355-78 GOST 12362-79 GOST 12352-81 NORME D'ÉTAT R 50424-92 NORME NATIONALE P 51056-97 GOST P 51927-2002 GOST P 51928-2002 GOST 12356-81 GOST R ISO 13898-1-2006 GOST R ISO 13898-3-2007 GOST R ISO 13898-4-2007 GOST R ISO 13898-2-2006 NORME NATIONALE P 52521-2006 GOST P 52519-2006 GOST P 52520-2006 GOST P 52518-2006 GOST 1429.14-2004 GOST 24903-81 GOST 22662-77 GOST 6012-2011 GOST 25283-93 GOST 18318-94 GOST 29006-91 GOST 16412.4-91 GOST 16412.7-91 GOST 25280-90 GOST 2171-90 GOST 23401-90 GOST 30642-99 GOST 25698-98 GOST 30550-98 GOST 18898-89 GOST 26849-86 GOST 26876-86 GOST 26239.5-84 GOST 26239.7-84 GOST 26239.3-84 GOST 25599.4-83 GOST 12226-80 GOST 23402-78 GOST 1429.9-77 GOST 1429.3-77 GOST 1429.5-77 GOST 19014.3-73 GOST 19014.1-73 GOST 17235-71 GOST 16412.5-91 GOST 29012-91 GOST 26528-98 GOST 18897-98 GOST 26529-85 GOST 26614-85 GOST 26239.2-84 GOST 26239.0-84 GOST 26239.8-84 GOST 25947-83 GOST 25599.3-83 GOST 22864-83 GOST 25599.1-83 GOST 25849-83 GOST 25281-82 GOST 22397-77 GOST 1429.11-77 GOST 1429.1-77 GOST 1429.13-77 GOST 1429.7-77 GOST 1429.0-77 GOST 20018-74 GOST 18317-94 NORME D'ÉTAT P 52950-2008 GOST P 52951-2008 GOST 32597-2013 GOST P 56307-2014 GOST 33731-2016 GOST 3845-2017 GOST R ISO 17640-2016 GOST 33368-2015 GOST 10692-2015 GOST P 55934-2013 GOST P 55435-2013 NORME NATIONALE P 54907-2012 GOST 3845-75 GOST 11706-78 GOST 12501-67 GOST 8695-75 GOST 17410-78 GOST 19040-81 GOST 27450-87 GOST 28800-90 GOST 3728-78 GOST 30432-96 GOST 8694-75 GOST R ISO 10543-99 GOST R ISO 10124-99 GOST R ISO 10332-99 GOST 10692-80 GOST R ISO 17637-2014 GOST P 56143-2014 GOST R ISO 16918-1-2013 NORME NATIONALE ISO 14250-2013 GOST P 55724-2013 GOST R ISO 22826-2012 GOST P 55143-2012 GOST P 55142-2012 GOST R ISO 17642-2-2012 GOST R ISO 17641-2-2012 GOST P 54566-2011 GOST 26877-2008 GOST R ISO 17641-1-2011 NORME NATIONALE ISO 9016-2011 GOST R ISO 17642-1-2011 NORME D'ÉTAT R 54790-2011 NORME D'ÉTAT P 54569-2011 GOST P 54570-2011 NORME NATIONALE P 54153-2010 GOST R ISO 5178-2010 GOST R ISO 15792-2-2010 GOST R ISO 15792-3-2010 GOST P 53845-2010 NORME NATIONALE P ISO 4967-2009 GOST 6032-89 GOST 6032-2003 GOST 7566-94 GOST 27809-95 GOST 22974.9-96 GOST 22974.8-96 GOST 22974.7-96 GOST 22974.6-96 GOST 22974.5-96 GOST 22974.4-96 GOST 22974.3-96 GOST 22974.2-96 GOST 22974.1-96 GOST 22974.13-96 GOST 22974.12-96 GOST 22974.11-96 GOST 22974.10-96 GOST 22974.0-96 GOST 21639.9-93 GOST 21639.8-93 GOST 21639.7-93 GOST 21639.6-93 GOST 21639.5-93 GOST 21639.4-93 GOST 21639.3-93 GOST 21639.2-93 GOST 21639.0-93 GOST 12502-67 GOST 11878-66 GOST 1763-68 GOST 13585-68 GOST 16971-71 GOST 21639.10-76 GOST 2604.1-77 GOST 11930.7-79 GOST 23870-79 GOST 11930.12-79 GOST 24167-80 GOST 25536-82 GOST 22536.2-87 GOST 22536.11-87 GOST 22536.6-88 GOST 22536.10-88 GOST 17745-90 GOST 26877-91 GOST 8233-56 GOST 1778-70 GOST 10243-75 GOST 20487-75 GOST 12503-75 GOST 21548-76 GOST 21639.11-76 GOST 2604.8-77 GOST 23055-78 GOST 23046-78 GOST 11930.11-79 GOST 11930.1-79 GOST 11930.10-79 GOST 24715-81 GOST 5639-82 GOST 25225-82 GOST 2604.11-85 GOST 2604.4-87 GOST 22536.5-87 GOST 22536.7-88 GOST 6130-71 GOST 23240-78 GOST 3242-79 GOST 11930.3-79 GOST 11930.5-79 GOST 11930.9-79 GOST 11930.2-79 GOST 11930.0-79 GOST 23904-79 GOST 11930.6-79 GOST 7565-81 GOST 7122-81 GOST 2604.3-83 GOST 2604.5-84 GOST 26389-84 GOST 2604.7-84 GOST 28830-90 GOST 21639.1-90 GOST 5640-68 GOST 5657-69 GOST 20485-75 GOST 21549-76 GOST 21547-76 GOST 2604.6-77 GOST 22838-77 GOST 2604.10-77 GOST 11930.4-79 GOST 11930.8-79 GOST 2604.9-83 GOST 26388-84 GOST 14782-86 GOST 2604.2-86 GOST 21639.12-87 GOST 22536.8-87 GOST 22536.0-87 GOST 22536.3-88 GOST 22536.12-88 GOST 22536.9-88 GOST 22536.14-88 GOST 22536.4-88 GOST 22974.14-90 GOST 23338-91 GOST 2604.13-82 GOST 2604.14-82 GOST 22536.1-88 GOST 28277-89 GOST 16773-2003 GOST 7512-82 GOST 6996-66 GOST 12635-67 GOST 12637-67 GOST 12636-67 GOST 24648-90

GOST 26239.8−84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1)


GOST 26239.8−84

Groupe B59


NORME D'ÉTAT DE L'UNION DE LA SSR

SILICIUM SEMI-CONDUCTEUR ET PRODUITS INITIAUX POUR SON OBTENTION

Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium

Silicium semi-conducteur et matières premières pour sa production. Méthode de dosage du dichlorsilane, du trichlorsilane et du tétrachlorure de silicium


OKSTU 1709

Date de lancement 1986-01-01


Décret du Comité d'État pour les normes de l'URSS du 13 juillet 1984 N 2491*, la période de validité est fixée du 01/01/86 au 01/01/91**
______________
* Voir l'étiquette Remarques ;
** La limitation de la période de validité a été supprimée conformément au protocole N 7-95 du Conseil inter-États pour la normalisation, la métrologie et la certification (IUS N 11, 1995). — Note du fabricant de la base de données.

INTRODUIT Amendement n ° 1, approuvé et mis en vigueur le 01.01.91 par résolution de la norme d'État de l'URSS du 26.06.90 N 1848

Le changement N 1 a été effectué par le fabricant de la base de données selon le texte de IUS N 10, 1990


Cette norme établit une méthode chromatographique pour le dosage du dichlorosilane de 0,02 à 10 %, du trichlorosilane de 0,02 à 100 % et du tétrachlorure de silicium de 0,02 à 100 %, dans le tétrachlorure de silicium rectifié et dans les mélanges de tétrachlorure de silicium avec le trichlorosilane.

La méthode est basée sur la séparation chromatographique des composants en mode isotherme, suivie d'une détection par conductivité thermique et calcul des fractions massiques des composants à déterminer à partir des aires des pics chromatographiques, en tenant compte des coefficients de la sensibilité relative des le détecteur aux composantes à déterminer.

1. EXIGENCES GÉNÉRALES

1.1. Exigences générales pour la méthode d'analyse - selon GOST 26239 .0-84.

2. ÉQUIPEMENT, MATÉRIEL ET RÉACTIFS


Chromatographe LKhM-8MD avec un détecteur de conductivité thermique, un dispositif d'enregistrement, une unité de déshydratation du gaz porteur, un système d'injection d'échantillon par seringue.

Colonnes chromatographiques, verre ou métal, 4 m de long, 2–4 mm de diamètre.

Intégrateur électronique I-02.

Piège en verre (Fig. 1) avec hydroxyde de potassium, qualité analytique, comprimé.

Pompe primaire VN 461M.

Étuve de séchage sous vide pour des températures jusqu'à 200 °C

Verres en verre d'une capacité de 200 cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) .

Tasses en porcelaine d'un diamètre de 50 mm.

Un entonnoir en verre avec un processus de 2 à 4 mm de diamètre.

Les échelles sont analytiques.

Chronomètre selon GOST 5072–79 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. Voir le lien pour plus d'informations. — Note du fabricant de la base de données.

Seringues chromatographiques avec une échelle de 0-10 μl.

Bouteilles en verre selon GOST 25336–82 , 5–10 cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) .

Fibre de verre.

Tube en fluoroplastique d'un diamètre de 5 mm.

Échantillonneur en verre d'une capacité de 50-100 cm3 GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) avec un robinet en fluoroplastique (Fig. 2).

Merde.1. piège en verre

piège en verre

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1)


1 - entrée de gaz vecteur ; 2 - réseau; 3 - sortie gaz vecteur


Merde.1

Merde.2. échantillonneur

échantillonneur

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1)


1 - valve en fluoroplastique; 2 - la cavité externe de la grue ; 3 - récipient en verre


Merde.2



Pipettes en verre d'une capacité de 10-20 cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) .

Supports solides silanisés : chromaton N-AW, sphérochrome-2, colorchrome 1 KDMDHS, fractions granulométriques 0,250-0,315 mm.

La phase stationnaire est le caoutchouc polyméthylsiloxane SE-30.

Trichlorosilane purifié avec une fraction massique d'impuretés ne dépassant pas 0,01%.

Tétrachlorure de silicium purifié avec une fraction massique d'impuretés ne dépassant pas 0,01%.

Alcool éthylique technique rectifié conformément à GOST 18300–87 .


Acétone selon GOST 2603–79 .

Éther diéthylique chimiquement pur

Gaz vecteur - hélium gazeux h.p.

Azote liquide selon GOST 9293–74 .

Chloroforme médical selon GOST 20015–74 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 20015–88 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Anhydrone.

Pentoxyde de phosphore.

Zéolithe Na5X.

(Édition modifiée, Rev. N 1).

3. PREPARATION POUR L'ANALYSE

3.1. Préparation du sorbant et remplissage des colonnes chromatographiques

Le support solide, chromaton N-AW, sphérochrome-2 ou colorchrome 1 KDMDXS, est séché dans une étuve à 120-130°C pendant 5 à 6 heures. 01

La phase stationnaire en une quantité de 10% en poids du support solide est pesée dans un bécher avec une erreur ne dépassant pas 0,01 g et dissoute dans du chloroforme (10 cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) pour 1 g de phase stationnaire).

Verser le support solide dans une tasse en porcelaine avec une solution de la phase stationnaire dans du chloroforme et bien mélanger. Le solvant est ensuite évaporé sous agitation continue par chauffage à 50°C sur une plaque chauffante couverte sous une hotte.

Avant remplissage, les colonnes chromatographiques sont nettoyées avec un coton-tige sur un fil et lavées successivement avec de l'acétone, de l'alcool éthylique et de l'éther diéthylique. Une fois le lavage terminé, la colonne est séchée à 100–120°C tout en purgeant avec un gaz porteur pendant 30 min.

Une extrémité d'une colonne propre et séchée est fermée avec un coton-tige en fibre de verre et reliée avec un tuyau d'aspiration en PVC à la ligne de pompage du vide primaire. Par l'autre extrémité, la colonne est remplie d'un sorbant à l'aide d'un entonnoir avec pompage continu et légère vibration de la colonne. La colonne doit être remplie jusqu'à un niveau de 3 à 5 mm en dessous de l'extrémité. A la fin du remplissage, la deuxième extrémité de la colonne est également fermée avec un écouvillon en fibre de verre. La qualité de remplissage des colonnes en verre est contrôlée visuellement. En présence de vides, ils sont éliminés en secouant légèrement la colonne. Les colonnes métalliques sont remplies d'une quantité dosée de sorbant en volume.

La colonne remplie est installée dans le thermostat du chromatographe et conditionnée : elle est purgée avec un gaz vecteur sec pendant 5 à 6 h à 250°C. Le chauffage à 250 °C est effectué à une vitesse de 10 à 15 °C/min.

Pour sécher le gaz vecteur, deux colonnes sont installées sur la ligne d'alimentation en gaz : la première colonne est remplie d'anhydrone le long du gaz vecteur, la deuxième colonne est remplie de pentoxyde de phosphore mélangé à de la zéolithe Na5X (10 % de pentoxyde de phosphore en poids de la zéolithe ). La colonne conditionnée est connectée au détecteur.

3.2. Préparation du mélange d'étalonnage

La préparation du mélange d'étalonnage est réalisée en mélangeant les composants dans l'échantillonneur.

Le mélange d'étalonnage contient du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium, la fraction massique de trichlorosilane dans le mélange est d'environ 20 %, le tétrachlorure de silicium est d'environ 80 %.

Peser l'échantillonneur sur une balance analytique. Verser dans un échantillonneur de 20 cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) tétrachlorure de silicium pur. La cavité externe de la vanne est pompée avec une pompe à vide primaire pour éliminer l'excès de tétrachlorure de silicium. L'échantillonneur au tétrachlorure de silicium est pesé sur une balance analytique et la quantité de tétrachlorure de silicium introduite dans l'échantillonneur est déterminée par la différence de masse ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) en grammes. Injecté dans un échantillonneur de 5 cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) trichlorosilane et aussi la méthode du poids détermine sa quantité ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) en grammes. Fractions massiques des composants ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) en pourcentage est calculé par la formule

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ,


GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) - lester GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) -ième composant du mélange, g.

Le mélange d'étalonnage est stocké dans l'échantillonneur, évitant un contact à long terme du mélange avec l'atmosphère.

(Édition modifiée, Rev. N 1).

3.3. Détermination des coefficients de sensibilité relatifs

La détermination des coefficients de sensibilité relative est effectuée en fonction du chromatogramme du mélange d'étalonnage.

Allumez le chromatographe et amenez le chromatographe en mode de fonctionnement conformément au manuel d'instructions de l'instrument.

Mode de fonctionnement du chromatographe :

Paramètre
Valeur nominale
Courant du détecteur
90-100mA
Température du thermostat du détecteur
120−130 °С
Température de la colonne
60 °С
Température de l'évaporateur 120 °С
Vitesse volumique du gaz porteur (hélium)

20-40cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) /minute

Vitesse de bande du potentiomètre 600 mm/h


Le temps nécessaire à l'appareil pour entrer en mode est de 2 heures.Après être entré dans le mode, avant de commencer le travail, la colonne est entraînée par injection de 7 à 10 fois d'une dose d'un mélange d'étalonnage d'un volume de 2 10 GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) cm GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) .

L'introduction des doses s'effectue à l'aide d'une seringue.

1 μl du mélange d'étalonnage est injecté dans la colonne de l'appareil prêt à fonctionner à l'aide d'une seringue et le chromatogramme est enregistré.

L'identification des pics du chromatogramme s'effectue dans l'ordre de libération des composants. Dans les conditions analytiques acceptées, le trichlorosilane est élué en premier de la colonne, suivi du tétrachlorure de silicium.

Zones de pics chromatographiques ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) de trichlorosilane et de tétrachlorure de silicium en volts par seconde est déterminée à l'aide d'un intégrateur électronique.

Coefficient de sensibilité relative pour le trichlorosilane ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) pour le tétrachlorure de silicium est calculé par la formule

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ,


GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) , GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) — fractions massiques de trichlorosilane et de tétrachlorure de silicium dans le mélange d'étalonnage, % ;

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) , GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) sont les aires des pics chromatographiques du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium sur le chromatogramme du mélange d'étalonnage, V/s.

La procédure pour prendre le chromatogramme du mélange d'étalonnage, déterminer les aires des pics chromatographiques et calculer GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) répéter trois fois. Calculer ensuite la moyenne arithmétique des résultats des trois déterminations GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) .

Écart admissible entre les valeurs extrêmes GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) est de 3 %. En cas d'écarts importants, la détermination du coefficient de sensibilité relative doit être effectuée à nouveau.

Coefficient de sensibilité relative du dichlorosilane sur le tétrachlorure de silicium GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) calculé selon la formule

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) .

3.4. Préparation de l'échantillon analysé.

L'échantillonneur est pompé jusqu'à une pression résiduelle de 10 GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) tore (13 Pa). Un tube en plastique fluoré d'un diamètre de 5 mm est fixé à l'échantillonneur sous vide. L'extrémité libre du tube est immergée dans le récipient avec l'échantillon et le robinet de l'échantillonneur est ouvert. L'échantillon est aspiré dans l'échantillonneur. La vanne est fermée et la cavité externe de la vanne de l'échantillonneur est pompée avec une pompe à vide avant pour éliminer l'excès d'échantillon. L'échantillon sélectionné est versé dans une bouteille.

4. CONDUITE DE L'ANALYSE


Le mode de fonctionnement du chromatographe pendant l'analyse doit être identique au mode réglé lors de l'enregistrement des chromatogrammes du mélange d'étalonnage pour le calcul des coefficients de sensibilité relatifs. Les paramètres de mode sont donnés au § 3.3.

Avant de commencer l'analyse, la colonne chromatographique est entraînée par une injection de 7 à 10 fois de doses d'échantillon de 5 μl. Le dosage se fait avec une seringue.

Le dosage de l'échantillon lors de l'analyse est effectué à l'aide d'une seringue. Le volume de la dose administrée par la seringue doit être de 5 à 10 µl.

L'enregistrement des pics du chromatogramme est effectué dans la position de l'atténuateur, ce qui garantit que le maximum du pic se trouve dans la plage optimale de l'échelle du potentiomètre. Zones de pics chromatographiques ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) de tous les composants de l'échantillon sont déterminés à l'aide d'un intégrateur électronique.

Enregistrement du chromatogramme et détermination de la valeur GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) tous les composants sont répétés trois fois.

5. TRAITEMENT DES RÉSULTATS

5.1. L'identification des composants de l'échantillon est effectuée selon l'ordre de libération et les volumes de rétention relatifs indiqués dans le tableau 1.

Tableau 1

Composant Volume de rétention relatif
Dichlorosilane 0,71
Trichlorosilane 1.0
tétrachlorure de silicium 2.31

5.2. Fractions massiques des composants de l'échantillon ( GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ) en pourcentage est calculé par la formule

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ,


GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) — coefficient de sensibilité relative pour GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) ème composant du tétrachlorure de silicium ;

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) est l'aire du pic chromatographique GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) -ième composante, V/s ;

GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) est le nombre de composants dans l'échantillon.

La moyenne arithmétique des résultats de trois déterminations parallèles est prise comme résultat de l'analyse.

5.3. La différence entre le plus grand et le plus petit des résultats de trois déterminations parallèles avec un niveau de confiance GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) 0,95 ne doit pas dépasser les valeurs des écarts absolus admissibles des trois résultats de déterminations parallèles indiquées dans le tableau 2.

Tableau 2

Composant Fraction massique du composant, % Écart absolu admissible, %
Dichlorosilane
0,02 0,02
0,1 0,03
0,5 0,09
1.0 0,13
5.0 0,3
10.0 0,8
Trichlorosilane
0,02 0,01
0,1 0,02
1.0 0,12
5.0 0,2
Dix 0,3
cinquante 1.8
100 2.6
tétrachlorure de silicium
0,02 0,01
0,1 0,01
0,5 0,05
5.0 0,2
Dix 0,5
trente 0,8
cinquante 1.2
100 1.9

5.4. L'exactitude des résultats de l'analyse est contrôlée par des mélanges synthétiques. Pour ce faire, selon le paragraphe 3.2, deux mélanges de composition proche de ceux donnés dans le tableau 3 sont préparés.

Tableau 3

Numéro de mélange Fraction massique du composant dans le mélange, %
trichlorosilane tétrachlorure de silicium
une vingt
80
2 5.0
95,0



Déterminer le coefficient de sensibilité relative du trichlorosilane pour le tétrachlorure de silicium conformément à la clause 3.3 en utilisant le mélange 1. Ensuite, conformément à la section 4, le mélange 2 est analysé et, conformément à la section 5, la teneur en trichlorosilane et en tétrachlorure de silicium est calculée à l'aide de la valeur relative coefficient de sensibilité obtenu sur le calcul des mélanges 1.

L'analyse est considérée comme correcte si la valeur absolue de la différence entre les résultats de la détermination et la fraction massique des composants dans le mélange 2 avec une probabilité de confiance GOST 26239.8-84 Silicium semi-conducteur et produits initiaux pour sa production. Méthode de dosage du dichlorosilane, du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium (avec modification n° 1) 0,95 ne dépasse pas 0,1 % pour le trichlorosilane et 0,7 % pour le tétrachlorure de silicium.