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GOST 26239.5-84

GOST R ISO 15353-2014 ÉTAT GOST P 55080-2012 GOST R ISO 16962-2012 GOST R ISO 10153-2011 GOST R ISO 10280-2010 NORME NATIONALE P ISO 4940-2010 NORME NATIONALE P ISO 4943-2010 GOST R ISO 14284-2009 GOST R ISO 9686-2009 GOST R ISO 13899-2-2009 GOST 18895-97 GOST 12361-2002 GOST 12359-99 GOST 12358-2002 GOST 12351-2003 GOST 12345-2001 GOST 12344-88 GOST 12350-78 GOST 12354-81 GOST 12346-78 GOST 12353-78 GOST 12348-78 GOST 12363-79 GOST 12360-82 GOST 17051-82 GOST 12349-83 GOST 12357-84 GOST 12365-84 GOST 12364-84 NORME D'ÉTAT P 51576-2000 GOST 29117-91 GOST 12347-77 GOST 12355-78 GOST 12362-79 GOST 12352-81 NORME D'ÉTAT R 50424-92 NORME NATIONALE P 51056-97 GOST P 51927-2002 GOST P 51928-2002 GOST 12356-81 GOST R ISO 13898-1-2006 GOST R ISO 13898-3-2007 GOST R ISO 13898-4-2007 GOST R ISO 13898-2-2006 NORME NATIONALE P 52521-2006 GOST P 52519-2006 GOST P 52520-2006 GOST P 52518-2006 GOST 1429.14-2004 GOST 24903-81 GOST 22662-77 GOST 6012-2011 GOST 25283-93 GOST 18318-94 GOST 29006-91 GOST 16412.4-91 GOST 16412.7-91 GOST 25280-90 GOST 2171-90 GOST 23401-90 GOST 30642-99 GOST 25698-98 GOST 30550-98 GOST 18898-89 GOST 26849-86 GOST 26876-86 GOST 26239.5-84 GOST 26239.7-84 GOST 26239.3-84 GOST 25599.4-83 GOST 12226-80 GOST 23402-78 GOST 1429.9-77 GOST 1429.3-77 GOST 1429.5-77 GOST 19014.3-73 GOST 19014.1-73 GOST 17235-71 GOST 16412.5-91 GOST 29012-91 GOST 26528-98 GOST 18897-98 GOST 26529-85 GOST 26614-85 GOST 26239.2-84 GOST 26239.0-84 GOST 26239.8-84 GOST 25947-83 GOST 25599.3-83 GOST 22864-83 GOST 25599.1-83 GOST 25849-83 GOST 25281-82 GOST 22397-77 GOST 1429.11-77 GOST 1429.1-77 GOST 1429.13-77 GOST 1429.7-77 GOST 1429.0-77 GOST 20018-74 GOST 18317-94 NORME D'ÉTAT P 52950-2008 GOST P 52951-2008 GOST 32597-2013 GOST P 56307-2014 GOST 33731-2016 GOST 3845-2017 GOST R ISO 17640-2016 GOST 33368-2015 GOST 10692-2015 GOST P 55934-2013 GOST P 55435-2013 NORME NATIONALE P 54907-2012 GOST 3845-75 GOST 11706-78 GOST 12501-67 GOST 8695-75 GOST 17410-78 GOST 19040-81 GOST 27450-87 GOST 28800-90 GOST 3728-78 GOST 30432-96 GOST 8694-75 GOST R ISO 10543-99 GOST R ISO 10124-99 GOST R ISO 10332-99 GOST 10692-80 GOST R ISO 17637-2014 GOST P 56143-2014 GOST R ISO 16918-1-2013 NORME NATIONALE ISO 14250-2013 GOST P 55724-2013 GOST R ISO 22826-2012 GOST P 55143-2012 GOST P 55142-2012 GOST R ISO 17642-2-2012 GOST R ISO 17641-2-2012 GOST P 54566-2011 GOST 26877-2008 GOST R ISO 17641-1-2011 NORME NATIONALE ISO 9016-2011 GOST R ISO 17642-1-2011 NORME D'ÉTAT R 54790-2011 NORME D'ÉTAT P 54569-2011 GOST P 54570-2011 NORME NATIONALE P 54153-2010 GOST R ISO 5178-2010 GOST R ISO 15792-2-2010 GOST R ISO 15792-3-2010 GOST P 53845-2010 NORME NATIONALE P ISO 4967-2009 GOST 6032-89 GOST 6032-2003 GOST 7566-94 GOST 27809-95 GOST 22974.9-96 GOST 22974.8-96 GOST 22974.7-96 GOST 22974.6-96 GOST 22974.5-96 GOST 22974.4-96 GOST 22974.3-96 GOST 22974.2-96 GOST 22974.1-96 GOST 22974.13-96 GOST 22974.12-96 GOST 22974.11-96 GOST 22974.10-96 GOST 22974.0-96 GOST 21639.9-93 GOST 21639.8-93 GOST 21639.7-93 GOST 21639.6-93 GOST 21639.5-93 GOST 21639.4-93 GOST 21639.3-93 GOST 21639.2-93 GOST 21639.0-93 GOST 12502-67 GOST 11878-66 GOST 1763-68 GOST 13585-68 GOST 16971-71 GOST 21639.10-76 GOST 2604.1-77 GOST 11930.7-79 GOST 23870-79 GOST 11930.12-79 GOST 24167-80 GOST 25536-82 GOST 22536.2-87 GOST 22536.11-87 GOST 22536.6-88 GOST 22536.10-88 GOST 17745-90 GOST 26877-91 GOST 8233-56 GOST 1778-70 GOST 10243-75 GOST 20487-75 GOST 12503-75 GOST 21548-76 GOST 21639.11-76 GOST 2604.8-77 GOST 23055-78 GOST 23046-78 GOST 11930.11-79 GOST 11930.1-79 GOST 11930.10-79 GOST 24715-81 GOST 5639-82 GOST 25225-82 GOST 2604.11-85 GOST 2604.4-87 GOST 22536.5-87 GOST 22536.7-88 GOST 6130-71 GOST 23240-78 GOST 3242-79 GOST 11930.3-79 GOST 11930.5-79 GOST 11930.9-79 GOST 11930.2-79 GOST 11930.0-79 GOST 23904-79 GOST 11930.6-79 GOST 7565-81 GOST 7122-81 GOST 2604.3-83 GOST 2604.5-84 GOST 26389-84 GOST 2604.7-84 GOST 28830-90 GOST 21639.1-90 GOST 5640-68 GOST 5657-69 GOST 20485-75 GOST 21549-76 GOST 21547-76 GOST 2604.6-77 GOST 22838-77 GOST 2604.10-77 GOST 11930.4-79 GOST 11930.8-79 GOST 2604.9-83 GOST 26388-84 GOST 14782-86 GOST 2604.2-86 GOST 21639.12-87 GOST 22536.8-87 GOST 22536.0-87 GOST 22536.3-88 GOST 22536.12-88 GOST 22536.9-88 GOST 22536.14-88 GOST 22536.4-88 GOST 22974.14-90 GOST 23338-91 GOST 2604.13-82 GOST 2604.14-82 GOST 22536.1-88 GOST 28277-89 GOST 16773-2003 GOST 7512-82 GOST 6996-66 GOST 12635-67 GOST 12637-67 GOST 12636-67 GOST 24648-90

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)


GOST 26239.5−84

Groupe B59


NORME D'ÉTAT DE L'UNION DE LA SSR

SILICIUM SEMI-CONDUCTEUR ET QUARTZ

Méthode de détermination des impuretés

Silicium semi-conducteur et quartz. Méthode de détermination


OKSTU 1709

Valable à partir du 01.01.86
jusqu'au 01.01.91*
________________________________
* Date d'expiration supprimée
selon le protocole N 7-95 du Conseil interétatique
pour la normalisation, la métrologie et la certification
(IUS N 11, 1995). — Note du fabricant de la base de données.



DÉVELOPPÉ par le Ministère de la métallurgie non ferreuse de l'URSS

INTERPRÈTES

Yu . A. Karpov _ _ _ _ _ A. Krylov , I. A. Kuzovlev , N. I. Marunina , V. G. Miskaryants , V. M. Mikhaylov Sysoeva , V. I. Firsov , G. I. Aleksandrova

INTRODUIT par le Ministère de la métallurgie non ferreuse de l'URSS

Membre du conseil A. P. Snurnikov

APPROUVÉ ET INTRODUIT PAR Décret du Comité d'État de l'URSS pour les normes du 13 juillet 1984 N 2490

INTRODUIT Amendement N 1, approuvé et mis en vigueur le 01.01.91 par le décret Gosstandart de l'URSS du 26.06.90 N 1847

Le changement N 1 a été effectué par le fabricant de la base de données selon le texte de IUS N 10, 1990


La présente Norme internationale établit une méthode d'activation neutronique pour la détermination des impuretés dans le silicium et le quartz semi-conducteurs non dopés dans les gammes de fractions massiques d'impuretés :

tungstène

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

Gaule

de 2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

europium

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

glande

de 2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

or

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

Inde

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

cobalt

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

lanthane

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

lutétium

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

cuivre

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

molybdène

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

arsenic

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

sodium

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

nickel

de 2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

scandium

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

argent

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

antimoine

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

tantale

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

chrome

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %

zinc

de 1 à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) jusqu'à 1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %


La méthode ne s'applique pas à l'analyse des qualités de silicium KES-0.01 et KEM-0.01.

(Édition modifiée, Rev. N 1).

1. EXIGENCES GÉNÉRALES

1.1. Exigences générales pour la méthode d'analyse - selon GOST 26239 .0-84.

2. ÉQUIPEMENT, MATÉRIEL ET RÉACTIFS


Réacteur nucléaire avec une densité de flux neutronique de 0,5−1 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) neutron/(cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) c) et un rapport de cadmium pour l'or dans le canal d'irradiation de l'échantillon de 2 à 5.

Spectromètre gamma, composé d'un analyseur multicanal (le nombre de canaux de l'analyseur est d'au moins 2000), d'une unité d'amplification du signal, d'un détecteur semi-conducteur au germanium ou au germanium-lithium à photoefficacité pour la détection des quanta gamma de raie GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Co avec une énergie de 1332 keV pas moins de 1,5% (dans le coin GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ). Rapport crête/Compton pour GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Avec au moins 30:1. Résolution du spectromètre pas plus de 3 keV le long de la ligne GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Co d'une énergie de 1332 keV.

Type de protection de boxe 1B11−1NZh.

Marque de transport de conteneurs en plomb KL-10.0 avec une épaisseur de paroi de 100 mm.

Conteneur en plomb marque de bureau KT-10 avec une épaisseur de paroi de 10 mm.

Équipement de protection individuelle contre les radiations et la contamination par des substances radioactives, conformément aux règles sanitaires fondamentales OSB 72/87 *.
_______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. S. P. 2.6.1.799-99 sont en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.

Les boîtiers sont en aluminium, en aluminium de marque 995-A.

Radiomètre Tiss.

Un ensemble d'exemples d'émetteurs gamma standard (OSGI).

Filtres sans cendre "bande bleue".

Marque de feuille d'aluminium 995-A 0,05-0,1 mm d'épaisseur, GOST 618-73 .

Fioles jaugées d'une capacité de 50, 100, 1000 cm3 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) .

Eprouvettes graduées d'une capacité de 10 et 25 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) .

Micropipettes 0,1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) (première classe).

Verres en fluoroplastique d'une capacité de 150 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) .

Verres chimiques en verre d'une contenance de 100 cm3 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) .

Armoire de séchage avec température jusqu'à 150 °C.

Four à moufle type MP-2UM.

Azote liquide selon GOST 9293–74 .

Mortier et pilon en agate ou en jaspe.

Plaque de cuisson électrique.

Balance de laboratoire selon GOST 24104–88 *.
_______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST R 53228-2008 est valide. — Note du fabricant de la base de données.

Balance microanalytique type VLM-1 g.

Lampe infrarouge de type IKZ-220−500.

Acétone selon GOST 2603–79 .

Eau distillée selon GOST 6709–72 .

Acide chlorhydrique de pureté spéciale selon GOST 14261–77 .

Acide nitrique de pureté spéciale selon GOST 11125–78 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 11125–84 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Acide fluorhydrique selon GOST 10484–78 .

Acide sulfurique de pureté spéciale selon GOST 14262–78 .

Hydroxyde de sodium selon GOST 4328–77 .

Pyro sulfate de sodium selon GOST 18344–78 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. Valide T.U. 6-09-5404-88 ** (IUS N 3, 1989);
** Le document est le développement de l'auteur. Voir le lien pour plus d'informations. — Note du fabricant de la base de données.

Tartrate d'ammonium selon GOST 4951–79 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. Valable T. U. 6-09-08-2007-89 ** (IUS N 12, 1989) ;
** Le document est le développement de l'auteur. Voir le lien pour plus d'informations. — Note du fabricant de la base de données.

Alcool éthylique technique rectifié conformément à GOST 18300–87 .


Molybdate d'ammonium selon GOST 3765–78 , chimiquement pur

Gallium métal selon GOST 12797–77 .

Fer carbonyle radiotechnique selon GOST 13610–79 , grade PS.

Oxyde d'europium d'une pureté de 99,9 %.

Or selon GOST 6835–80 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 6835–2002 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Indium métal selon GOST 10297–75 *.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 10297–94 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Bichromate de potassium selon GOST 4220–75 , chimiquement pur, séché à poids constant à 140 °C.

Cobalt métallique selon GOST 123–78 *, grade K-1.
______________
*Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 123–2008 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Semi-conducteur au silicium, marque KP-1−6.

Oxyde de lanthane d'une pureté de 99,9 %.

Oxyde de lutétium d'une pureté de 99,9 %.

Cuivre métallique en poudre selon GOST 859–78 *, grade M3.
______________
* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 859–2001 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Arsenic métal d'une pureté de 99,9%.

Acide tungstique sodique 2-eau selon GOST 18289–78 , chimiquement pur.

Chlorure de sodium selon GOST 4233–77 , chimiquement pur, séché à poids constant.

Oxyde de nickel noir selon GOST 4331–78 , pièce

Nitrate d'argent selon GOST 1277–75 , chimiquement pur, séché à poids constant à 140 °C.

Oxyde de scandium avec une pureté de 99,9 %.

Antimoine métallique selon GOST 1089–82 , grade Cy-0000.

Pentoxyde de tantale avec une pureté de 99,9 %.

Zinc métal selon GOST 3640–79 *.
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* Le document n'est pas valable sur le territoire de la Fédération de Russie. GOST 3640–94 est en vigueur. — Note du fabricant de la base de données.


Solution étalon de sodium contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) sodium : 0,0254 g de chlorure de sodium, séché à poids constant, est placé dans une fiole jaugée de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dissous dans de l'eau distillée, dilué au trait, mélangé.

Solution étalon d'argent contenant 0,002 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) argent : 0,00315 g de nitrate d'argent est placé dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dilué avec de l'eau distillée, dilué au trait et mélangé.

Solution étalon de molybdène et de chrome contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) molybdène et 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) chrome : 0,0184 g de molybdate d'ammonium et 0,0283 g de dichromate de potassium sont placés dans une fiole jaugée de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , dissous dans de l'eau distillée, dilué au trait, mélangé.

Solution basique de cuivre et de zinc contenant 0,1 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) cuivre et 0,5 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) zinc : 0,1000 g de cuivre et 0,5000 g de zinc sont placés dans un bécher de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dissoudre lorsqu'il est chauffé dans 50 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) un mélange d'acides chlorhydrique et nitrique (1:5), après dissolution du cuivre et du zinc, la solution est refroidie et transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger. 10 cm sont prélevés de la solution principale GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et transféré dans une fiole jaugée de 100 ml. GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger. Cette solution contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) cuivre et 0,05 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) le zinc est utilisé comme solution standard.

Solution étalon de tungstène contenant 0,005 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) tungstène : 0,00897 g de tungstène sodique est dissous dans de l'eau distillée dans une fiole jaugée de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Solution basique de tantale contenant 0,5 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) tantale : Environ, 0610 g de pentoxyde de tantale sont alliés dans un four à moufle avec 2 g de pyrosulfate de sodium à 900°C jusqu'à obtention d'un bain transparent. La masse fondue est dissoute par ébullition dans 40 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Solution de tartrate d'ammonium à 10%, la solution est refroidie, transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

La solution standard de tantale est préparée le jour de l'utilisation. 2 cm sont prélevés de la solution principale GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) transféré dans une fiole jaugée de 1000 ml. GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et porter au trait avec une solution de tartrate d'ammonium à 8 %, mélanger. La solution standard de tantale contient 0,001 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) tantale.

Solution étalon de fer contenant 10 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) fer : 1 000 g de fer sont placés dans un bécher de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , ajouter 30 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) acide chlorhydrique concentré et 1,5 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) l'acide nitrique et chauffé jusqu'à dissolution complète de l'échantillon, après refroidissement, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 100 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Solution étalon de cobalt contenant 0,002 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) cobalt : 0,00200 g de cobalt est placé dans un bécher de 50 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dissoute dans un volume minimum d'acide nitrique, la solution est transvasée dans une fiole jaugée d'une contenance de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Solution étalon d'arsenic contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) arsenic : 0,0100 g d'arsenic est placé dans un bécher de 50 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dissoudre lorsqu'il est chauffé dans 5 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) l'acide sulfurique, après dissolution de l'arsenic, la solution est évaporée à environ 1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , refroidir et transférer dans une fiole jaugée de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Solution basique d'europium, de lutétium et de lanthane contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) europium, 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) lutétium et 0,05 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) lanthane : 0,0116 g d'oxyde d'europium, 0,0114 g d'oxyde de lutétium et 0,0596 g d'oxyde de lanthane sont placés dans un bécher de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , ajouter 20 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) acide chlorhydrique concentré, dilué avec de l'eau distillée dans un rapport de 1:1, dissous par chauffage, refroidi, transféré dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger. 2,0 cm3 sont prélevés de la solution principale GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et transféré dans une fiole jaugée de 1000 ml. GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Cette solution contenant 0,0002 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) europium, 0,0002 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) lutétium et 0,001 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) le lanthane est utilisé comme solution standard.

Solution mère de scandium contenant 0,1 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) scandium : 0,1500 g d'oxyde de scandium est placé dans un bécher de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , ajouter 25 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) de l'acide chlorhydrique concentré, dilué avec de l'eau distillée dans un rapport de 1:1, est dissous par chauffage, après refroidissement, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger. Cette solution contenant 0,001 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) le scandium est utilisé comme solution standard.

Solution mère d'antimoine contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) antimoine : 0,0100 g d'antimoine est dissous dans 5 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) eau régale (1 partie d'acide nitrique et 3 parties d'acide chlorhydrique) lorsqu'elle est chauffée, après élimination des oxydes d'azote, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , diluer avec de l'acide chlorhydrique 6M jusqu'au trait de jauge, mélanger. 10 cm sont prélevés de la solution principale GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et transféré dans une fiole jaugée de 100 ml. GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , diluer au trait avec de l'acide chlorhydrique 6M, mélanger. Cette solution contenant 0,001 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) l'antimoine est utilisé comme solution étalon.

Solution mère d'or contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) or : 0,0100 g d'or est dissous dans 5 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) eau régale lorsqu'elle est chauffée, après élimination des oxydes d'azote, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger. 2,0 cm3 sont prélevés de la solution principale GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et transféré dans une fiole jaugée de 100 ml. GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger. Cette solution contenant 0,0002 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) l'or est utilisé comme solution étalon-or.

Solution étalon de nickel contenant 0,5 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) nickel : 0,0704 g d'oxyde de nickel est placé dans un bécher de 50 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dissoudre dans 10 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) acide nitrique dilué, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 100 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Solution étalon d'indium contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) indium : 0,0100 g d'indium est placé dans un bécher de 50 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et dissous par chauffage dans un volume minimum d'eau régale (1 partie d'acide nitrique et 3 parties d'acide chlorhydrique), après refroidissement, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) diluer au trait avec de l'eau distillée, mélanger.

Solution étalon de gallium contenant 0,01 mg/cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) gallium : 0,0100 g de gallium est dissous dans un volume minimum d'eau régale (1 volume d'acide nitrique et 3 volumes d'acide chlorhydrique) dans un bécher de 50 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) lorsqu'elle est chauffée, après refroidissement, la solution est transférée dans une fiole jaugée d'une capacité de 1000 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , diluer au trait avec de l'acide chlorhydrique 1%, mélanger.

(Édition modifiée, Rev. N 1).

3. PREPARATION POUR L'ANALYSE

3.1. Préparation des échantillons analysés et des échantillons de référence pour irradiation

Le boîtier d'irradiation et la feuille d'aluminium pour le conditionnement des échantillons et des échantillons de référence sont lavés à l'acétone, puis à l'alcool.

A partir de chaque échantillon analysé, deux prises d'essai de 2 à 3 mm d'épaisseur et pesant 4 à 6 g sont prélevées, chaque prise d'essai est placée dans un sac en aluminium et le sac est étiqueté.

Le poids total des échantillons analysés dans l'étui ne doit pas dépasser 30 g.

De chaque solution étalon, prélever 0,1 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et déposer sur des bandes séparées de papier filtre "ruban bleu", de taille 1x3 cm, sécher sous une lampe infrarouge, puis la bande est pliée en trois couches à une taille de 1x1 cm et enveloppée dans une feuille d'aluminium, étiquetée. Simultanément aux échantillons, deux échantillons de comparaison pour chaque élément à doser sont placés dans le récipient pour irradiation. Chaque échantillon de référence contient : tungstène 0,0005 mg, gallium 0,001 mg, europium 0,00002 mg, fer 1,0 mg, or 0,00002 mg, indium 0,001 mg, cobalt 0,002 mg, lanthane 0,0001 mg, lutétium 0,00002 mg, cuivre 0,001 mg, molybdène 0,001 mg , arsenic 0,001 mg, sodium 0,005 mg, nickel 0,5 mg, scandium 0,0001 mg, argent 0,0002 mg, antimoine 0,0001 mg, tantale 0,0001 mg, chrome 0,001 mg, zinc 0,005 mg.

Placer une bande de papier filtre, préparée et emballée comme décrit ci-dessus, mais sans laisser tomber les solutions étalons dessus, dans chaque cartouche d'irradiation.

La mallette avec échantillons analysés et échantillons de référence est irradiée dans un réacteur nucléaire pour :

100 h si la fraction massique attendue des impuretés à doser est inférieure à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) % Masse;

10 h si la fraction massique attendue des impuretés à doser est supérieure à 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) % poids

Les échantillons irradiés sont transportés au laboratoire dans un conteneur de transport en plomb KL-10.0.

(Édition modifiée, Rev. N 1).

4. CONDUITE DE L'ANALYSE

4.1. Traitement des échantillons analysés et des échantillons de référence après irradiation

La mallette contenant les échantillons analysés irradiés et les échantillons de référence est placée dans une boîte de protection de type 1B11-1NZh. Après 25 à 30 h après l'irradiation, les échantillons analysés sont libérés des sacs en aluminium et placés dans des coupelles en fluoroplastique et gravés trois fois dans un mélange fraîchement préparé d'acides nitrique et fluorhydrique (5: 1). Le temps de chaque gravure est de 20 à 40 s sans chauffage. Après gravure à l'acide, l'échantillon est traité avec une solution alcaline à 10 % pendant 40 à 80 s. Après chaque gravure, les échantillons sont lavés à l'eau, et une fois la gravure alcaline terminée, ils sont séchés sous une lampe infrarouge, pesés sur une balance analytique, emballés dans une feuille d'aluminium et étiquetés.

Les échantillons de référence et une bande de papier filtre sans solutions standard déposées dessus sont retirés des sacs en aluminium et placés dans des sacs en aluminium non irradiés.

Les échantillons analysés et les échantillons de référence sont placés dans différents récipients protecteurs tels que KT.

4.2. Préparation du spectromètre gamma pour mesurer l'activité et mesurer l'activité des échantillons analysés et des échantillons de référence

La mesure de l'activité des échantillons analysés et des échantillons de référence est précédée d'un étalonnage énergétique du spectromètre à l'aide du kit OSGI. Lors de l'étalonnage, une telle amplification des signaux est sélectionnée à laquelle 0,7 à 1,0 keV sont tombés sur 1 canal d'analyseur.

Avant de mesurer l'activité des échantillons, le niveau du fond naturel du détecteur est mesuré pendant 30 à 40 min. Si le spectre contient des raies gamma de radionucléides qui peuvent être identifiés comme des substances artificiellement radioactives, des mesures sont prises pour réduire le bruit de fond au niveau du bruit de fond naturel du détecteur, en raison des éléments naturellement radioactifs dans les matériaux entourant le détecteur (murs, protection , etc). ).

Lors de la mesure de l'activité d'échantillons et d'échantillons de référence, le chargement du spectromètre ne doit pas entraîner une distorsion de la forme de la distribution d'amplitude de plus de 10 %.

S'il est nécessaire de réduire la charge du spectromètre de bremsstrahlung causée par des radionucléides formés à partir de silicium et de quanta gamma à basse énergie de radionucléides d'éléments d'impureté, un filtre de rayonnement est utilisé - une couche d'aluminium de 3 mm et une épaisseur de 3 à 4 mm couche de fer.

S'il est nécessaire de réduire la charge du spectromètre uniquement à partir du rayonnement à faible énergie de radionucléides d'éléments d'impureté, un filtre de rayonnement est utilisé - une couche d'aluminium de 2 mm et une couche de plomb de 2 à 3 mm.

Comme analyse, utilisez des lignes gamma de radionucléides, qui sont données dans le tableau.1.

Tableau 1

Élément à déterminer (radionucléide) Demi-vie d'un radionucléide
Énergie de la raie gamma analytique, keV*

Tungstène ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) W)

23,9 heures 686

gallium ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Géorgie)

14,1 heures 834

Europium ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) UE)

9h30 841

Le fer ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Fe)

44,6 jours 1099

Or ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Au)

2,7 jours 412

indium ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) dans)

49,5 jours 192

cobalt ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Co)

5,26 ans 1332

Lanthane ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) La)

40,2 heures 1596

Lutétium ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Lu)

6,7 jours 208

Cuivre ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Cu)

12,8 heures 511

Molybdène ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) mois)

66,0 heures 140

Arsenic ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Comme)

26,3 heures 559

sodium ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) N / A)

15h00 1368

Nickel ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Co)

71,3 jours 811

Argent ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Ag)

253 jours 657

Scandium ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) sc)

84,0 jours 889

Antimoine ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) qn)

2,71 jours 564

Tantale ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Ta)

115 jours 1189

Chrome ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) cr)

27,7 jours 320

Zinc ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Zn)

14h00 439

______________
* Facteur de conversion 1 keV=1,602 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) erg


Le temps de mesure de l'activité des échantillons analysés dépend du contenu des éléments analysés et est de 1 à 6 h. Le temps de mesure de l'activité des échantillons de référence et d'une bande de papier filtre sur lequel la solution standard ne coule pas est 1–3 min. Le temps d'exposition des échantillons dépend de la fraction massique et du rapport des éléments d'impureté dans les échantillons analysés. Pour les échantillons dans lesquels la fraction massique d'éléments d'impuretés hautement activés (sodium, scandium, cobalt, cuivre, gallium, arsenic, brome, antimoine, éléments de terres rares, hafnium, tantale, tungstène, rhénium, iridium et or) n'est pas supérieure à ( 1−3) dix GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, le tungstène, le gallium, l'europium, le lanthane, le cuivre, l'arsenic, le sodium et le zinc sont déterminés à un temps de maintien de 20 à 30 heures, et les éléments restants à un temps de maintien de 60 à 100 heures. Si la fraction massique des éléments ci-dessus éléments hautement activés est inférieur à (1 −3) 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, la détermination simultanée de tous les éléments après une exposition de 25 à 30 heures est autorisée.

Les spectres des échantillons sont déchiffrés par les énergies des raies gamma les plus intenses des radionucléides des éléments à déterminer à l'aide de l'étalonnage du spectromètre en énergie et par la position des raies gamma analytiques dans les spectres des échantillons de référence.

4.1, 4.2. (Édition modifiée, Rev. N 1).

5. TRAITEMENT DES RÉSULTATS

5.1. Fractions massiques des éléments déterminés ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ) en pourcentage est calculé par la formule

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ,


GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le nombre d'impulsions dans le pic analytique du radionucléide de l'élément à déterminer dans le spectre de l'échantillon analysé, impulsions ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le nombre d'impulsions dans le pic analytique dans le spectre des échantillons de comparaison 1 et 2, respectivement, impulsions ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) — temps de mesure du spectre de l'échantillon analysé et des échantillons de référence 1 et 2, respectivement, min ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est la masse de l'échantillon analysé, mg ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est la teneur de l'élément à doser dans l'échantillon de référence, en mg ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) - facteur de correction dû à la différence des dimensions géométriques de l'échantillon analysé et des échantillons de comparaison ; trouvé expérimentalement pour chaque détecteur ( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) une);

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est la demi-vie du radionucléide ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est l'intervalle entre le temps de mesure du spectre de l'échantillon de comparaison 1 et de l'échantillon de comparaison 2 et le milieu du temps de mesure du spectre de l'échantillon analysé.

Les corrections de la décroissance des radionucléides peuvent ne pas être prises en GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , où GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) il y a GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ou GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , c'est-à -dire , en règle générale, lors du calcul de la fraction massique de scandium, chrome, cobalt, fer, argent, lutétium, indium, tantale et antimoine. Dans ce cas

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) .


Facteur de correction GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , qui tient compte de la forme différente des échantillons analysés et des échantillons de comparaison, est déterminée expérimentalement. Irradier un échantillon de silicium (quartz) en masse et en forme, à proximité des échantillons analysés. Cet échantillon doit contenir des impuretés d'éléments à partir desquels les radionucléides sont formés avec des énergies de raie gamma dans la gamme de 0,1-0,2 MeV, 0,4-0,5 MeV et 1-1,3 MeV. Ces éléments peuvent être, par exemple, le tungstène et le tantale, l'hafnium et le cobalt, etc. Les éléments nommés peuvent être introduits en tant qu'additifs (fraction massique 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) -Dix GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %) dans du silicium ou du quartz, broyé en poudre dans un mortier d'agate sous une couche d'alcool, ou du silicium dopé avec ces éléments peut être utilisé. Après irradiation, l'intensité spécifique des raies gamma correspondantes est mesurée (imp/min mg) pour l'ensemble de l'échantillon GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) et parties de l'échantillon (taille 1x1 cm, poids 100−200 mg) GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) . Attitude GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) donne la valeur du facteur de correction GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) pour l'énergie de la raie gamma correspondante. Valeurs GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) car les valeurs intermédiaires des raies gamma analytiques sont trouvées par interpolation linéaire.

Lors de la détermination du cuivre à partir de la ligne de rayonnement d'annihilation GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Cu( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) 511 keV), il faut tenir compte de la possibilité de contribution de la raie gamma GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) W( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) 511,6 keV) et les lignes de rayonnement d'annihilation des radionucléides GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) N / A, GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Ga et GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Zn. A cet effet, l'activité de l'échantillon analysé est mesurée et la présence de radionucléides de tungstène, de gallium, de sodium et de zinc dans le spectre est établie. Si l'un des éléments répertoriés est présent dans l'échantillon analysé, alors dans les échantillons de comparaison de ces éléments, non seulement les intensités des raies gamma analytiques sont mesurées, mais également l'intensité des raies d'une énergie de 511 keV, et pour le tungstène 511,6 keV.

Lors du calcul de la fraction massique de cuivre dans l'échantillon de silicium analysé, le nombre d'impulsions dans le pic analytique GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Cu( GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ) est déterminé par la formule

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ,


GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le nombre d'impulsions dans la raie gamma avec une énergie de 511 et 511,6 keV, dues au rayonnement GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Cu et rayonnement des radionucléides des éléments interférentiels, imp;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le nombre d'impulsions dans la raie gamma analytique du radionucléide de l'élément interférentiel dans le spectre de l'échantillon analysé, impulsions (par GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Na - 1368 keV, GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Zn - 1115 keV, GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Ga - 834 keV, GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) W - 686 keV);

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) - taux de comptage des impulsions dans la raie gamma 511 keV (pour le tungstène 511,6 keV) dans le spectre de l'échantillon de référence impulsions/min ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est la vitesse des impulsions dans la raie gamma analytique du radionucléide de l'élément interférentiel dans le spectre de l'échantillon de référence, imp/min ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) — nombre de radionucléides interférentiels pris en compte.

Lors de la détermination de l'indium par la ligne gamma GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Dans GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Contribution de la raie gamma 192 keV GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) Fe est pris en compte de la même manière que décrit ci-dessus pour le cuivre.

La présence des éléments à doser (le plus souvent sodium, cuivre et scandium) dans les bandes de papier filtre sur lesquelles sont déposées les solutions étalons est prise en compte par la formule

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ,


GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le taux de comptage d'impulsions de la raie gamma analytique du radionucléide de l'élément à déterminer, en raison de la teneur en cet élément, goutte à goutte de l'échantillon de référence, imp/min ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le taux de comptage d'impulsions de la raie gamma analytique du radionucléide de l'élément à déterminer, obtenu en mesurant l'échantillon de référence, imp/min ;

GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) est le taux de comptage d'impulsions de la raie gamma du radionucléide de l'élément à déterminer, dû à la présence de cet élément dans le papier filtre, imp/min.

Pour chaque impureté à doser, le résultat de l'analyse est pris comme la moyenne arithmétique de deux résultats de dosages parallèles effectués chacun sur un échantillon séparé comme au paragraphe 3.1 ; 4.1 ; 4.2 et 5.1.

5.2. La différence entre le plus grand et le plus petit des deux résultats de déterminations parallèles ne doit pas dépasser les écarts absolus admissibles pour le niveau de confiance GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) 0,90 indiqué dans le tableau.2.

5.3. Pour vérifier l'exactitude des résultats d'analyse, des mélanges artificiels (N 1–4) sont préparés à base de silicium semi-conducteur broyé dans un mortier d'agate à l'état de poudre, dans lequel les éléments à déterminer sont introduits en introduisant à partir de solutions étalons préalablement préparées ( Section 2). Le silicium en poudre est préalablement vérifié par la méthode d'activation neutronique pour le contenu de tous les éléments déterminés. La fraction massique d'éléments à déterminer dans le silicium en poudre ne doit pas dépasser 20% de la teneur en éléments introduits sous forme d'additifs à partir de solutions.

La fraction massique de chacun des additifs introduits doit être au moins égale à trois fois la valeur de la limite inférieure des teneurs déterminées en éléments selon le mode opératoire et au plus à la limite supérieure des teneurs déterminées en éléments.

Tableau 2

Élément défini Fraction massique de l'élément déterminé, % Écart absolu admissible, %
Fer, nickel

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

2.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Molybdène, chrome, zinc, lutétium

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

2.2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

2.2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,5 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Indium

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,40 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Tungstène, europium, lanthane, arsenic

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,25 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Gallium

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

2.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Cuivre

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Sodium

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,25 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Argent

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Or, scandium

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

Cobalt, antimoine, tantale

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,23 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,30 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

1.0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)

0,50 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1)



Le silicium en poudre est placé dans un mortier d'agate, des solutions des éléments à déterminer sont introduites, puis le mélange est broyé sous une couche d'alcool pendant 2,5 à 3 heures et le mélange est séché sous une lampe infrarouge jusqu'à un poids constant.

Mélange 1 : à 10,0 g de silicium en poudre ajouter 0,1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solutions contenant du sodium, du lanthane, de l'europium, du lutétium et du scandium. La fraction massique de sodium dans le mélange résultant sera de 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, lanthane 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, europium 2,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, lutétium 2,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, scandium 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %.

Mélange 2 : à 10,0 g de silicium en poudre ajouter 0,05 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solutions contenant de l'argent et du chrome, 0,1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solutions contenant de l'antimoine et du molybdène. La fraction massique d'argent dans le mélange résultant sera de 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, chrome 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, antimoine 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) % et molybdène 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %.

Mélange 3 : à 10,0 g de silicium en poudre ajouter 0,05 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solutions contenant du cobalt et du tantale, 0,02 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solution contenant du fer, et 0,1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solutions contenant de l'arsenic et du gallium. La fraction massique de cobalt dans le mélange résultant sera de 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, tantale 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, fer 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, arsenic 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %
et gallium 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %.

Mélange 4 : A 10,0 g de poudre de silicium ajouter 0,05 ml GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solution contenant du cuivre et du zinc, 0,1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solution contenant de l'or, 0,02 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solution contenant du nickel et 0,1 cm GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) solution contenant de l'indium. La fraction massique de cuivre dans le mélange résultant sera de 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, zinc 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, or 2,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, tungstène 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %, nickel 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) % et indium 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) %.

Trois portions de 2,0 g chacune sont prélevées dans chacun des mélanges préparés et analysées conformément aux paragraphes 3.1 à 4.3 et à la section 5.

Le temps d'exposition des échantillons de mélanges artificiels dans la détermination des éléments est indiqué dans le tableau.3.

Tableau 3

Numéro de mélange
Élément défini Temps de maintien, h
une
sodium, europium 30−70
Lanthane 50−80
Lutétium, scandium Plus de 100
2
molybdène, antimoine 30−70
Argent, chrome Plus de 100
3
gallium, arsenic 30−40
cobalt, fer, tantale Plus de 100
quatre
Tungstène, cuivre, zinc 30−40
indium, nickel Plus de 100
Or 80−120



Pour chaque impureté à doser, le résultat de l'analyse est obtenu (moins la fraction massique de l'élément en poudre de silicium avant l'introduction de l'additif) comme la moyenne arithmétique de trois résultats de dosages parallèles, effectués chacun sur un échantillon de 2,0 g. L'analyse est considérée comme correcte si les valeurs de la fraction massique d'impuretés trouvées dans ce cas (%) sont comprises entre : tungstène 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,8 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , gallium 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , europium 2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,4 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , or 2,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,4 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , cobalt 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , lutétium 2,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,4 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , molybdène 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , sodique 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , scandium 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , antimoine 1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±0,2 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) , chrome 5,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) ±1,0 10 GOST 26239.5-84 Silicium et quartz semi-conducteurs. Méthode de détermination des impuretés (avec modification n° 1) .

Les écarts admissibles pour les valeurs intermédiaires des fractions massiques sont trouvés par interpolation linéaire.

(Édition modifiée, Rev. N 1).