Disque en tungstène
Analogues
Marque | Analogique | W. Non. | Aisi Uns | Fr | Ordre |
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Virginie | EHF | WP | EWP | Achetez en stock, vérifiez la disponibilité |
Intérêt
Les disques en tungstène présentent les avantages suivants : résistance exceptionnelle à la chaleur (point de fusion du tungstène : +3422°C), résistance au fluage à haute température, module d'élasticité élevé, coefficient de dilatation thermique minimal par rapport à d'autres métaux, résistance aux réactifs agressifs et à la corrosion, robustesse, durabilité et fiabilité.
Propriétés physiques
Description des propriétés physiques | Désignation |
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Température à laquelle les propriétés spécifiées ont été obtenues t°C | 20°С |
Coefficient de dilatation thermique linéaire α [1/Hrad] | 43x10-6 |
Densité de l'alliage [g/cm3] 19,3 | 19,3 |
Résistance à la traction kg/mm2 | 35 |
Capacité thermique spécifique à 20 °C [kJ/(kg-C)] | 0,134 |
Conductivité thermique K [W/(m-K) | 300,173 |
Résistivité électrique R Ohmxmm2/m | 0,054 |
Inconvénients
Les inconvénients sont la difficulté d'obtenir du tungstène pur, le poids spécifique élevé (comme l'or) et la fragilité à basse température. Le disque de tungstène n'est pas suffisamment ductile et rigide à des températures normales. En raison des propriétés exceptionnelles du matériau, les disques de tungstène ne peuvent être usinés (laminage, étirage et forgeage) qu'à des températures élevées.
Fabrication
Les disques de tungstène sont produits par frittage avec usinage ultérieur. La nature réfractaire et l'usinage du matériau garantissent la fiabilité de fonctionnement et la résistance à la chaleur du disque. Les disques sont disponibles dans toutes les formes et tous les paramètres. Les tolérances et les dimensions sont convenues avec le client. Le prix des disques de tungstène dépend de la complexité de la configuration, des exigences supplémentaires du client et des dimensions. La qualité du produit est normalisée par des spécifications techniques. Les disques de tungstène sont utilisés comme éléments structurels dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance au silicium.
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