Nitrate d’indium
Caractéristiques
Formule chimique : In(NO₃)₃ / In(NO₃)₃·xH₂O pour les hydrates
Dénomination : nitrate d'indium(III) / nitrate d'indium
N° CAS : 13770-61-1 (anhydre), 207398-97-8 (hydrate)
Masse molaire : 300,83 g/mol (composé anhydre)
Couleur : blanc
Forme : poudre cristalline ou agglomérats cristallins hydratés
Solubilité : bien soluble dans l'eau, l'éthanol et l'isopropanol
Propriétés : fortement hygroscopique
Décomposition thermique : au-dessus d'environ 240 °C avec formation de In₂O₃
Le nitrate d'indium(III) est un sel inorganique d'indium soluble dans l'eau. Le matériau est généralement fourni sous forme de poudre cristalline blanche hygroscopique finement dispersée ou de cristaux hydratés In(NO₃)₃·xH₂O, notamment sous forme de trihydrate ou de pentahydrate.
Le nitrate d'indium se distingue par une solubilité élevée dans l'eau et dans les solvants organiques polaires, y compris l'éthanol et l'isopropanol. Cela permet d'obtenir des solutions homogènes à composition précisément définie pour les procédés de chimie humide et de couches minces.
Lors du chauffage, les formes hydratées commencent à perdre leur eau de cristallisation dès environ 100 °C. À des températures supérieures à environ 240 °C, le composé se décompose avec dégagement d'oxydes d'azote NOx et formation d'oxyde d'indium(III) In₂O₃.
Grâce à sa température de décomposition relativement basse, le nitrate d'indium est utilisé comme précurseur soluble pour l'obtention de composés fonctionnels de l'indium et de couches minces d'oxyde. Le matériau convient aux procédés sol-gel, à la pyrolyse par pulvérisation, au dépôt chimique en phase vapeur CVD et à d'autres méthodes de synthèse à partir de solutions.
La production industrielle du nitrate d'indium est réalisée par dissolution d'indium métallique de haute pureté ou d'hydroxyde d'indium(III) dans de l'acide nitrique concentré, suivie d'une cristallisation contrôlée.
Le nitrate d'indium est utilisé dans la fabrication de matériaux d'oxydes conducteurs transparents, y compris l'ITO à base d'oxyde d'indium-étain et l'IZO à base d'oxyde d'indium-zinc. Il est également utilisé comme précurseur pour les semi-conducteurs d'oxyde InGaZnO / IGZO employés dans les transistors à couches minces et les technologies d'affichage.
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Avantages
• Solubilité élevée dans l'eau et les alcools
• Convient à la préparation de solutions précisément dosées
• Température de décomposition relativement basse
• Transformation thermique en oxyde d'indium In₂O₃
• Disponibilité de qualités de haute pureté jusqu'à 99,999 % (5N)
• Convient à la synthèse sol-gel
• Applicable à la pyrolyse par pulvérisation et aux procédés CVD
• Précurseur universel pour la synthèse par chimie humide
Domaines d'application
• Technologies des couches minces et des revêtements
• Revêtements conducteurs transparents ITO
• Revêtements conducteurs transparents IZO
• Procédés sol-gel
• Pyrolyse par pulvérisation
• Dépôt chimique en phase vapeur CVD
• Semi-conducteurs d'oxyde InGaZnO / IGZO
• Transistors à couches minces TFT
• Écrans plats et flexibles
• Imprégnation de supports de catalyseurs
• Synthèse organique
• Obtention d'hydroxyde et de sulfure d'indium
• Synthèse de nanoparticules et de points quantiques
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